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本发明提供了一种纵向沟道的SiC肖特基栅双极型晶体管，包括N+碳化硅衬底，形成于N+碳化硅衬底表面的发射极接触金属层，形成于N+碳化硅衬底上的P+缓冲层，形成于P+缓冲层上P‑漂移区，形成于P‑漂移区上的P+集电区，形成于P+集电区上的集电...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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