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本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法。本发明的薄膜晶体管的制作方法，通过在有源层的上方形成第一光阻层，采用所述有源层的光罩对该第一光阻层进行图案化处理后，得到第一光阻图案，该第一光阻图案能够在后续源、漏极的蚀刻制程中保护有源层不受到酸蚀刻液...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。

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