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本申请提供了一种半导体器件和该器件的形成方法，在形成伪栅区的所述第二沟槽内填充介质材料，取代了现有技术中伪栅结构中的栅极材料和隔离层，避免了现有技术中伪栅结构中的栅极材料、隔离层和集电极之间形成电容，进而造成所述半导体器件的输入电容变大，影...
该专利属于株洲中车时代电气股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲中车时代电气股份有限公司授权不得商用。

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