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本发明公开了一种防止划片造成短路的CMOS图像传感器结构及制作方法，通过在感光芯片和逻辑芯片的内部电路区域外侧设置复合隔离结构，包括形成于感光芯片n型衬底中的深P阱贯通注入区及形成于其内部的P+注入区、形成于介质层中的金属互连层、形成于逻辑...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司授权不得商用。