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本发明提出一种抗总剂量CMOS电路基本晶体管结构，属于抗辐照半导体技术领域。本发明适用于各种CMOS电路结构，能够提高CMOS电路的抗总剂量辐射能力，能够适用于超大规模集成电路。其特征在于，在传统NMOS晶体管N+源漏区的外围通过离子注入形...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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