温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供了一种集成了TFET的FINFET器件及其制备方法，在鳍的两个端部区域分别形成N型漏区和由顶部P型掺杂区和底部N型掺杂区构成的源区，从而由源区的底部N型掺杂区、漏区、沟道区、位于鳍结构的侧壁的高K介质层和位于鳍结构的侧壁的栅极共同...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司授权不得商用。