温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明是针对射频微系统器件的三维键合堆叠互连集成制造方法，包括高阻硅作为基板或转接板；基板或转接板上通过多层介质‑金属交替完成布线用于射频信号传输与控制；异质类化合物芯片通过chip to wafer键合实现异质集成，所有芯片都通过底部焊盘...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。