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一种带有绝缘埋层的衬底的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底具有一支撑层和设置在支撑层表面的一绝缘层；实施第一次离子注入，向所述衬底内注入改性离子，所述绝缘层和支撑层的界面与改性离子浓度的高斯分布峰之间的距离小于50nm，以使所述改...
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