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本发明实施例公开了一种芯片及其制造方法，该制造方法包括：提供一超薄芯片，超薄芯片的功能面上具有多个电极，在超薄芯片的功能面上形成钝化层，钝化层具有与多个电极分别对应设置的多个第一开口；在钝化层上形成掩膜层，掩膜层具有与多个第一开口分别对应设...
该专利属于通富微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过通富微电子股份有限公司授权不得商用。

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