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本申请提供一种沟槽栅IGBT器件及其制作方法，在得到沟槽后，形成第一栅氧层，填充第一多晶硅后，去掉部分第一多晶硅，仅保留沟槽底部的第一多晶硅，并去除沟槽侧壁上的第一栅氧层；再在所述沟槽内形成第二栅氧层，在第二栅氧层上再形成第二多晶硅层，第二...
该专利属于株洲中车时代电气股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲中车时代电气股份有限公司授权不得商用。

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