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本发明公开了一种螺旋位错驱动生长螺旋型层状硒化锡纳米片的制备方法，利用溶剂法的技术路线来制备螺旋型层状硒化锡纳米片，通过控制前驱液的浓度来控制硒化锡纳米片以螺旋位错驱动生长，该方法操作简单、成本低，所制得的螺旋型层状硒化锡纳米片具有原子级厚...
该专利属于福建师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过福建师范大学授权不得商用。

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