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一种用于多层全息天线的GaAs‑Ge‑GaAs异质结构的pin二极管制备方法。该制备方法包括：(a)选取GeOI衬底；(b)刻蚀所述GeOI衬底的顶层Ge层以在所述顶层Ge层内形成第一沟槽和第二沟槽；(c)在所述第一沟槽和所述第二沟槽内淀积...
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