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本发明公开了一种能改善多孔硅薄膜纵向物理结构均匀性的新方法。该方法是在多孔硅制备完成后，立即将多孔硅薄膜浸入NaOH溶液中进行腐蚀与溶解。一方面，由于在正常的恒电流密度的腐蚀条件下，随腐蚀深度的增加，多孔硅的多孔度沿纵向方向变大或折射率变小...
该专利属于湖南文理学院所有，仅供学习研究参考，未经过湖南文理学院授权不得商用。

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