温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及硬掩膜蚀刻和介电蚀刻与通孔和金属层的介电蚀刻察觉重迭，提供方法和装置，其产生最终介电蚀刻补偿表格和最终硬式蚀刻补偿表格，用于OPC或MPC程序流程。实施例包含：在晶圆上实施重迭图案分类；依据该图案分类，校准介电蚀刻偏移或硬式掩膜蚀...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。