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本发明提供了InP量子点及其制备方法。该制备方法包括：步骤S1，利用第一InP核和InP纳米团簇制备第二InP核；步骤S2，以第二InP核为核，使Zn前驱体、Se前驱体和可选的S前驱体通过外延生长法在第二InP核的表面形成包含ZnSe...
该专利属于纳晶科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过纳晶科技股份有限公司授权不得商用。

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