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本发明的单晶的制造方法，该方法进行：直体部形成工序，其通过使籽晶与以单晶的电阻率达到0.9mΩ·cm以下的方式向硅熔体中添加红磷的掺杂剂添加熔体接触后提拉所述籽晶，从而形成单晶的直体部；及切割分离工序，在所述直体部的上端的温度为590℃以上...
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