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本发明公开了一种InGaN基黄色发光二极管结构，它包括衬底，在衬底上由下至上依次生长有缓冲层、n型层、准备层、黄光多量子阱层和p型层，其特征在于：准备层和黄光多量子阱层位置包含有一定数量和大小的倒六角锥结构，准备层是In组分较高的In...
该专利属于南昌大学;南昌黄绿照明有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学;南昌黄绿照明有限公司授权不得商用。

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