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本发明提供一种LED垂直芯片结构及其制作方法，包括以下步骤：S1：提供一蓝宝石衬底，在其上依次生长非故意掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层；S2：形成若干分立的P电极；S3：形成若干分立的并覆盖所述P电极的第一键合金属层；...
该专利属于映瑞光电科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过映瑞光电科技（上海）有限公司授权不得商用。

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