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本发明涉及光电技术领域，提供了一种雪崩光电二极管及其制造方法。其中雪崩光电二极管包括在I型光吸收层、I型帽层和P型接触层上，位于所述P型半导体区域的两侧设置有第一沟道；在I型倍增层和P型电场控制层上，衔接着所述第一沟道设置有第二沟道；在N型...该专利属于武汉光迅科技股份有限公司;武汉电信器件有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光迅科技股份有限公司;武汉电信器件有限公司授权不得商用。