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本发明提供一种高频吸收二极管芯片及其生产方法，该芯片包括衬底，衬底的上表面形成有外延层，外延层上设有基区窗口，基区窗口包括压点区以及位于压点区外围的分压区，外延层将压点区与分压区隔开，基区窗口上形成有第一离子扩散层，第一离子扩散层上设有发射...
该专利属于重庆平伟实业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆平伟实业股份有限公司授权不得商用。

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