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本发明涉及二维纳米材料制备及其应用领域，现阶段场效应晶体管制备工艺需要经过考虑衬底与生长材料之间的晶格匹配、衬底材料加热生长，掺杂等多道复杂工艺。二维硫化物材料以其超薄的材料厚度，载流子迁移率和带隙宽度可调控，与衬底之间不需要严格的晶格匹配...
该专利属于北京交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京交通大学授权不得商用。

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