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本发明公开了一种纳米尺寸下T型结构栅器件及其制作方法，主要解决现有T型栅支撑性差的问题。其器件自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)和势垒层(4)，势垒层上设有源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(7)，栅电极(7)上设有栅帽(...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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