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一种半导体器件的制造方法，包括：形成半导体衬底，所述半导体衬底中形成有待连接结构；在所述半导体衬底上依次形成介电层和金属硬掩模层；以所述金属硬掩模层为掩模刻蚀所述介电层，在所述介电层内形成露出所述待连接结构的沟槽和通孔；去除所述金属硬掩模层...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。