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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成有鳍片；在所述半导体衬底上依次形成覆盖所述鳍片的沟道栅极区域的高k介电层、功函数调制层和金属栅极，其中，对于PMOS，所述功...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。