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本发明公开了一种降低基平面位错对碳化硅外延层影响的方法，包括在碳化硅衬底上，利用界面高温退火处理，促进BPD‑TED转化点下移，远离高掺缓冲层表面，并通过加入渐变缓冲层减少高掺缓冲层和外延层的浓度差异，并对高温氢气刻蚀的高掺缓冲层界面进行修...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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