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本发明公开了一种p型NiMSnO非晶氧化物半导体薄膜，其中NiMSnO中的M元素具有较低的标准电势，与O有高的结合能，M与O形成的氧化物为高阻氧化物、且其禁带宽度大于3eV，M为Be、Mg、Ca、Sr、Ba、B、Al、Ga、In、Sc、Y、...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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