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一种硅复合物外延生长厚度的检测方法,包括:将外延生长反应腔降至常温,在该反应腔内进行检测,或在保护气体保护下将生长硅复合物外延层的基片从外延生长反应腔移入另外的常温腔室内进行检测,所述检测包括:使用傅氏转换红外线光谱仪检测所述硅复合物中的成...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种硅复合物外延生长厚度的检测方法,包括:将外延生长反应腔降至常温,在该反应腔内进行检测,或在保护气体保护下将生长硅复合物外延层的基片从外延生长反应腔移入另外的常温腔室内进行检测,所述检测包括:使用傅氏转换红外线光谱仪检测所述硅复合物中的成...