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本发明涉及具有掩埋式场板的化合物半导体器件。一种半导体器件包括第一化合物半导体材料和在第一化合物半导体材料上的第二化合物半导体材料。第二化合物半导体材料包括与第一化合物半导体材料不同的材料，使得第一化合物半导体材料具有二维电子气（2DEG）...
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