温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种多次可程序化互连矩阵及其规划方法，该多次可程序化互连矩阵包含形成一个M×N大小阵列的多个半导体非易失性存储器元件。根据一特定互连规划，位于该阵列中的该些非易失性存储器元件被程序化至一高阈值电压状态或被抹除至一低阈值电压状态。...
该专利属于闪矽公司所有，仅供学习研究参考，未经过闪矽公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。