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本发明公开了一种低功耗SRAM单元电路结构，包括由四个MOS管构成的锁存器，所述锁存器两侧为门控管，锁存器一端通过一写字线管连接电源，另一端通过一反信号管接地。存储数据的读取通过两个额外的下拉管来完成。本发明电路简单，控制容易。整个电路工作...
该专利属于苏州无离信息技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州无离信息技术有限公司授权不得商用。

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