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高输出功率放大器制造技术
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文档序号:15398129
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在使用了耗尽型FET的高输出功率放大器中,为了可靠地防止由过电流引起的FET的损坏,具有:生成施加到耗尽型FET的漏极端子的正电压的漏极电压供给部(120、220、320);以及生成施加到耗尽型FET的栅极端子的负电压的栅极偏置电压供给部(...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。
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