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根据本发明的半导体层叠结构包括：与氮化物半导体的相异的单晶衬底；在所述衬底上形成的无机薄膜，以在所述无机薄膜和所述衬底之间限定空腔，其中，至少一部分所述无机薄膜结晶为与所述衬底相同的晶体结构；以及从所述空腔上的结晶化无机薄膜生长的氮化物半导...该专利属于首尔大学校产学协力团;海瑟解决方案股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过首尔大学校产学协力团;海瑟解决方案股份有限公司授权不得商用。