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提供具有多量子阱(MQW)pin二极管结构的发光装置以及制作和使用该装置的方法。该装置由多层半导体异质结构构成。该装置包括材料的一个或多个界面层，该材料允许电流隧穿通过在本征活性区与p‑型和/或n‑型掺杂的电荷注入层之间界面处的晶格失配的异...
该专利属于威斯康星州男校友研究基金会所有，仅供学习研究参考，未经过威斯康星州男校友研究基金会授权不得商用。

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