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本发明公开了一种发光二极管的芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述芯片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的N型GaN层、发光层、P型GaN层、透明导电薄膜，N型焊盘设置在N型GaN层上，P型焊盘设置在P型GaN层上，P型电极线设...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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