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本发明公开一种提升发光效率的LED外延生长方法，包括：处理衬底、ZnGaN层、Mg和Si共掺杂GaN层、AlN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长In...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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