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本发明涉及一种双I段型耐大电流聚光光伏电池芯片，属太阳能光伏发电技术领域，包括负电极段层，聚光光伏电池基材层，正电极层和有效面积，所述聚光光伏电池基材层一面覆上负电极段层，另一面覆上正电极层，所述负电极段层之外的部分为有效面积该种电池芯片能...
该专利属于成都聚合科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都聚合科技有限公司授权不得商用。

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