温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种三维环栅半导体场效应晶体管的制备方法，属于三维微纳器件技术领域。该方法包括如下步骤：提供一基底，在基底处形成电绝缘层，在电绝缘层形成功能结构层；在电绝缘层处形成一有源区，在有源区处获得自支撑功能结构层；在除自支撑功能结构层以...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。