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本发明提供一种SOI横向绝缘栅双极晶体管，其元胞结构包括：衬底、埋氧层、厚介质层、厚硅层N型漂移区、P阱区、P型重掺杂发射极区和N型重掺杂区、超薄顶层硅N型漂移区、N型buffer区、P型重掺杂集电极区、发射极接触电极、集电极接触电极、栅氧...该专利属于电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院授权不得商用。