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本发明公开一种半导体元件及其制作方法。制作半导体元件的方法为，首先提供一基底，然后形成一第一栅极结构以及一第二栅极结构于基底上，形成一接触洞蚀刻停止层于第一栅极结构、第二栅极结构及基底上，去除部分第一栅极结构及第二栅极结构之间的部分接触洞蚀...
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