温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于辐射效应数值模拟技术领域，涉及一种双极型晶体管位移效应数值模拟方法。该方法从中子辐照后双极型晶体管位移损伤缺陷的实测数据出发，建立位移损伤缺陷模型，完成中子位移效应的数值模拟。本发明突破了现有少数载流子寿命法不能完全反映中子位移效...
该专利属于西北核技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过西北核技术研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。