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一种相变存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相变存储器区和外围电路区，所述外围电路区的半导体衬底上具有外围电路晶体管的栅极；形成相变存储器的底部电极的下电极部和外围电路晶体管的第一接触孔；形成所述相变存储器的底部电极的...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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