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一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供形成有研磨停止层的半导体衬底；在研磨停止层表面形成研磨缓冲层；通过刻蚀工艺，在半导体衬底内形成浅沟槽；向浅沟槽内填充绝缘材料；通过平坦化工艺使绝缘材料的厚度达到目标厚度值并去除研磨缓冲层；去除研磨停止...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。