温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型公开了一种微纳尺寸带状电子注场致发射阴极系统，通过将半导体刻蚀技术将冷阴极材料平板上表面刻蚀为截面为等腰三角形的一系列平行金属突起，提高突起的发射尖端的电场强度，进而提高发射电流强度和密度。同时，栅网距离冷阴极顶端一般为微米或纳米...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。