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本实用新型提供了一种功率半导体芯片测试单元，所述测试单元包括集电极、被测芯片子模组、PCB板、固定框架和发射极；集电极和发射极的外部侧壁上分别设置有集电极限位凹槽和发射极限位凹槽，固定框架的内部侧壁上设置有限位凸台；集电极、被测芯片子模组、...该专利属于全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司;华北电力大学所有，仅供学习研究参考，未经过全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司;华北电力大学授权不得商用。