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提供了一种磁阻式随机存取存储器(MRAM)中的磁性隧道结(MTJ)器件以及制造该器件的方法，以达成高隧道磁阻(TMR)、高垂直磁各向异性(PMA)、良好的数据留存、以及高水平的热稳定性。MTJ器件包括第一自由铁磁层、合成抗铁磁(SAF)耦合...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

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