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梯度合金量子点的制备及该量子点在QLED器件的应用制造技术
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下载梯度合金量子点的制备及该量子点在QLED器件的应用的技术资料
文档序号:15332559
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本发明的目的在于提供一种梯度合金量子点的制备及其该量子点在QLED器件的应用,目前量子点的制备可分为有机相合成和水相合成,水相合成温度较低,周期较短而其弊端亦是显而易见的,荧光寿命短,量子点产率低,杂质多等等,而目前高产率,荧光寿命长的量子...
该专利属于南昌航空大学所有,仅供学习研究参考,未经过南昌航空大学授权不得商用。
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