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本发明公开了一种高亮度发光二极管的芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述制造方法包括：在GaAs衬底的第一表面上依次外延生长N型限制层、有源层、P型限制层、GaP窗口层；在GaP窗口层上设置至少两个P型电极；在GaAs衬底的第二表面上的...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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