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本发明涉及半导体器件技术领域，一种IGBT结构，包括N型硅衬底，所述N型硅衬底背面管芯区域刻蚀有凹槽，所述凹槽周围突出N型硅衬底背面部分形成划片槽；所述凹槽和划片槽表面设置有P+集电区，所述的P+集电区表面设置有金属层；所述的凹槽内填充有金...
该专利属于苏州同冠微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州同冠微电子有限公司授权不得商用。

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