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本发明公开了一种高压BCD器件，在衬底中具有N型深阱，N型深阱中具有P阱，源区位于P阱中，源区及漏区之间的衬底表面具有场氧，靠P阱的一侧场氧上及靠P阱的衬底上具有多晶硅栅极，所述场氧下的衬底中，还具有P型注入层，其特征在于：所述P型注入层为...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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