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本发明公开了一种氮化铝单晶生长方法，长晶时的温度曲线和压力曲线简单可控；在氮化铝烧结体表面进行长晶，生长得到的氮化铝单晶体内部几乎无缺陷；通过采用钨材料制备坩埚，杂质引入极少；能够得到最大尺寸为厘米级的氮化铝单晶；长晶成本较低。...
该专利属于苏州奥趋光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州奥趋光电技术有限公司授权不得商用。

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